IPLK80R900P7ATMA1

制造商编号:
IPLK80R900P7ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET 800V TDSON-8
规格说明书:
IPLK80R900P7ATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.424746 16.42
10 14.723834 147.24
100 11.83738 1183.74

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™ P7
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: -
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
标准包装: 5,000

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IPLK80R900P7ATMA1

型号:IPLK80R900P7ATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET 800V TDSON-8

库存:0

单价:

1+: ¥16.424746
10+: ¥14.723834
100+: ¥11.83738
500+: ¥9.725389
1000+: ¥9.665037
5000+: ¥9.665037

货期:1-2天

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