ES6U42T2R

制造商编号:
ES6U42T2R
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET P-CH 20V 1A 6WEMT
规格说明书:
ES6U42T2R说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
8000 2.025292 16202.34

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 最后售卖
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 390 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150 pF @ 10 V
FET 功能: 肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值): 700mW(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-WEMT
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
标准包装: 8,000

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ES6U42T2R

型号:ES6U42T2R

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET P-CH 20V 1A 6WEMT

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