库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | PolarHV™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.9 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 9.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 411 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 70W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252AA |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 70 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STD3N62K3 | STMicroelectronics | ¥8.45000 | 类似 |
| IPD60R3K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | ¥5.45000 | 类似 |
IXTY3N60P
型号：IXTY3N60P
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 600V 3A TO252
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单价：
货期：1-2天
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