库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.016043 | ￥4.02 |
| 10 | ￥3.026331 | ￥30.26 |
| 100 | ￥1.887789 | ￥188.78 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia(安世) |
| 系列: | TrenchMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 490mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 920 毫欧 @ 300mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 1.05nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 23pF @ 30V |
| 功率 - 最大值: | 410mW |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装: | 6-TSSOP |
| 标准包装: | 3,000 |
PMGD780SN,115
型号：PMGD780SN,115
品牌：Nexperia安世
描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.016043 |
| 10+： | ￥3.026331 |
| 100+： | ￥1.887789 |
| 500+： | ￥1.291724 |
| 1000+： | ￥0.993616 |
| 3000+： | ￥0.894247 |
| 6000+： | ￥0.844588 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.02