NVMYS021N06CLTWG

制造商编号:
NVMYS021N06CLTWG
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
规格说明书:
NVMYS021N06CLTWG说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 17.568634 17.57
10 15.754577 157.55
100 12.667072 1266.71

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.8A(Ta),27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 16µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 410 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),28W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK4(5x6)
封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK
标准包装: 3,000

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NVMYS021N06CLTWG

型号:NVMYS021N06CLTWG

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK

库存:0

单价:

1+: ¥17.568634
10+: ¥15.754577
100+: ¥12.667072
500+: ¥10.407346
1000+: ¥9.461176
3000+: ¥9.461176

货期:1-2天

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