库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.856411 | ￥19.86 |
| 10 | ￥17.88569 | ￥178.86 |
| 100 | ￥14.374948 | ￥1437.49 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 70 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1300 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STP19NF20 | STMicroelectronics | ¥11.14000 | 类似 |
| IRF640NPBF | Infineon Technologies | ¥9.22000 | 类似 |
| FQP19N20C | onsemi | ¥13.44000 | 类似 |
| IRF200B211 | Infineon Technologies | ¥9.60000 | 类似 |
IRF640PBF
型号：IRF640PBF
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥19.856411 |
| 10+： | ￥17.88569 |
| 100+： | ￥14.374948 |
| 500+： | ￥11.8103 |
| 1000+： | ￥10.123002 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.86