- 制造商编号：
- SIZF906DT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
- 规格说明书：
- SIZF906DT-T1-GE3说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.319718 | ￥15.32 |
| 10 | ￥13.690858 | ￥136.91 |
| 100 | ￥10.675587 | ￥1067.56 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® Gen IV |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 22nC @ 4.5V，92nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2000pF @ 15V，8200pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 38W（Tc），83W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TA） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装: | 8-PowerPair®（6x5） |
| 标准包装: | 3,000 |
SIZF906DT-T1-GE3
型号：SIZF906DT-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
库存：0
单价：
| 1+： | ￥15.319718 |
| 10+： | ￥13.690858 |
| 100+： | ￥10.675587 |
| 500+： | ￥8.818686 |
| 1000+： | ￥6.962117 |
| 3000+： | ￥6.962117 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.32