库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.3A，3.4A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 80 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 25nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 300pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 1W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 标准包装: | 2,500 |
NDS8852H
型号：NDS8852H
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00