库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥58.645797 | ￥58.65 |
| 10 | ￥52.705987 | ￥527.06 |
| 100 | ￥43.18656 | ￥4318.66 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Advanced Linear Devices |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）配对 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 10.6V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 75 欧姆 @ 5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 10µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| 功率 - 最大值: | 500mW |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 标准包装: | 50 |
ALD1101SAL
型号：ALD1101SAL
品牌：Advanced Linear Devices
描述：MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
库存：0
单价：
| 1+： | ￥58.645797 |
| 10+： | ￥52.705987 |
| 100+： | ￥43.18656 |
| 500+： | ￥36.763905 |
| 1000+： | ￥31.005697 |
| 2000+： | ￥30.200363 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥58.65