SPA07N60C3XKSA1

制造商编号:
SPA07N60C3XKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
规格说明书:
SPA07N60C3XKSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 29.790834 29.79
10 26.745852 267.46
100 21.499508 2149.95

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 @ 4.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 790 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 32W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-31
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPA60R600P6XKSA1 Infineon Technologies ¥16.28000 类似

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SPA07N60C3XKSA1

型号:SPA07N60C3XKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP

库存:0

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1+: ¥29.790834
10+: ¥26.745852
100+: ¥21.499508
500+: ¥17.663677
1000+: ¥16.822633

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