货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥8.229789 | ¥8.23 |
10 | ¥7.24837 | ¥72.48 |
100 | ¥5.554424 | ¥555.44 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2欧姆 @ 50mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 85 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 200mW(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SC-59 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装: | 3,000 |
2SJ168TE85LF
型号:2SJ168TE85LF
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
库存:0
单价:
1+: | ¥8.229789 |
10+: | ¥7.24837 |
100+: | ¥5.554424 |
500+: | ¥4.391037 |
1000+: | ¥3.512832 |
3000+: | ¥3.183504 |
6000+: | ¥2.993899 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.23