STGWT60H65FB

制造商编号:
STGWT60H65FB
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
规格说明书:
STGWT60H65FB说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 49.933217 49.93
10 44.859077 448.59
100 36.754255 3675.43

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V @ 15V,60A
功率 - 最大值: 375 W
开关能量: 1.09mJ(开),626µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 306 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 51ns/160ns
测试条件: 400V,60A,5 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装: TO-3P
标准包装: 30

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STGWT60H65FB

型号:STGWT60H65FB

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

库存:0

单价:

1+: ¥49.933217
10+: ¥44.859077
100+: ¥36.754255
500+: ¥31.28791
1000+: ¥31.117284

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