货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥49.933217 | ¥49.93 |
10 | ¥44.859077 | ¥448.59 |
100 | ¥36.754255 | ¥3675.43 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 80 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 240 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.3V @ 15V,60A |
功率 - 最大值: | 375 W |
开关能量: | 1.09mJ(开),626µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 306 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 51ns/160ns |
测试条件: | 400V,60A,5 欧姆,15V |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商器件封装: | TO-3P |
标准包装: | 30 |
STGWT60H65FB
型号:STGWT60H65FB
品牌:ST意法半导体
描述:IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
库存:0
单价:
1+: | ¥49.933217 |
10+: | ¥44.859077 |
100+: | ¥36.754255 |
500+: | ¥31.28791 |
1000+: | ¥31.117284 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥49.93