IRF7453TRPBF

制造商编号:
IRF7453TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
规格说明书:
IRF7453TRPBF说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230 毫欧 @ 1.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 930 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 4,000

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IRF7453TRPBF

型号:IRF7453TRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO

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