货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥9.449439 | ¥9.45 |
10 | ¥8.46574 | ¥84.66 |
100 | ¥6.600587 | ¥660.06 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A(Ta),85A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 5 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V @ 27µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 47 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3700 pF @ 20 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta),57W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TDSON-8-5 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
标准包装: | 5,000 |
BSC050N04LSGATMA1
型号:BSC050N04LSGATMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
库存:0
单价:
1+: | ¥9.449439 |
10+: | ¥8.46574 |
100+: | ¥6.600587 |
500+: | ¥5.452908 |
1000+: | ¥4.783229 |
5000+: | ¥4.783229 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.45