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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.4A，1.7A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 140 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 700mV @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 1.25W |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商器件封装: | Micro8™ |
| 标准包装: | 4,000 |
IRF7507PBF
型号：IRF7507PBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8
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