DMN3051L-7

制造商编号:
DMN3051L-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
规格说明书:
DMN3051L-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.377062 4.38
10 3.563202 35.63
100 2.428244 242.82

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 38 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 424 pF @ 5 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 700mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
SI2306BDS-T1-E3 Vishay Siliconix ¥4.99000 类似
RSR025N03TL Rohm Semiconductor ¥5.07000 类似
PMV40UN2R Nexperia USA Inc. ¥3.61000 类似
AO3406 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥3.30000 类似

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DMN3051L-7

型号:DMN3051L-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

库存:0

单价:

1+: ¥4.377062
10+: ¥3.563202
100+: ¥2.428244
500+: ¥1.821132
1000+: ¥1.365757
3000+: ¥1.251988
6000+: ¥1.176096

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥4.38