库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥43.728866 | ￥43.73 |
| 10 | ￥39.246564 | ￥392.47 |
| 100 | ￥32.156942 | ￥3215.69 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 930 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 48 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1417 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 60W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STF10N65K3 | STMicroelectronics | ¥13.21000 | 类似 |
| R6008FNX | Rohm Semiconductor | ¥27.96000 | 类似 |
| TK8A65D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥19.28000 | 类似 |
| STP9NK60ZFP | STMicroelectronics | ¥23.81000 | 类似 |
| STF7NM60N | STMicroelectronics | ¥23.04000 | 类似 |
IRFIB5N65APBF
型号：IRFIB5N65APBF
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥43.728866 |
| 10+： | ￥39.246564 |
| 100+： | ￥32.156942 |
| 500+： | ￥27.375041 |
| 1000+： | ￥24.736488 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥43.73