F3L15MR12W2M1B69BOMA1

制造商编号:
F3L15MR12W2M1B69BOMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
LOW POWER EASY
规格说明书:
F3L15MR12W2M1B69BOMA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 托盘

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 托盘
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟道
配置: 三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 75 A
功率 - 最大值: 0.2 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 5.52 nF @ 800 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-EASY2BM-2
标准包装: 15

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F3L15MR12W2M1B69BOMA1

型号:F3L15MR12W2M1B69BOMA1

品牌:Infineon英飞凌

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