BYV415K-600PQ

制造商编号:
BYV415K-600PQ
制造商:
WeEn Semiconductors威恩半导体
描述:
DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P
规格说明书:
BYV415K-600PQ说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: WeEn Semiconductors(威恩半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
二极管配置: 1 对共阴极
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 15A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.1 V @ 15 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 45 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装: TO-3P
标准包装: 450

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BYV415K-600PQ

型号:BYV415K-600PQ

品牌:WeEn Semiconductors威恩半导体

描述:DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P

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