货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 12 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 14 毫欧 @ 8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 81 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3470 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.5W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-TSSOP |
封装/外壳: | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
标准包装: | 100 |
IRF7702
型号:IRF7702
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00