BSC112N06LDATMA1

制造商编号:
BSC112N06LDATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
TRENCH 40<-<100V
规格说明书:
BSC112N06LDATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 17.282662 17.28
10 15.535746 155.36
100 12.483802 1248.38

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™-T2
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.2 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 28µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 55nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4020pF @ 30V
功率 - 最大值: 65W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-4
标准包装: 5,000

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BSC112N06LDATMA1

型号:BSC112N06LDATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:TRENCH 40<-<100V

库存:0

单价:

1+: ¥17.282662
10+: ¥15.535746
100+: ¥12.483802
500+: ¥10.256676
1000+: ¥9.768161
5000+: ¥9.768161

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥17.28