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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | POWER MOS 8™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 183 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 307 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.5V @ 15V，62A |
| 功率 - 最大值: | 780 W |
| 开关能量: | 1.354mJ（开），1.614mJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 294 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 28ns/212ns |
| 测试条件: | 400V，62A，4.7 欧姆，15V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 变式 |
| 标准包装: | 30 |
APT102GA60B2
型号：APT102GA60B2
品牌：Microchip微芯
描述：IGBT 600V 183A 780W TO247
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货期：1-2天
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