库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.873959 | ￥4.87 |
| 10 | ￥3.953875 | ￥39.54 |
| 100 | ￥2.689008 | ￥268.90 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | U-MOSIII |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 28 毫欧 @ 3A，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 13.6 nC @ 4 V |
| Vgs（最大值）: | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1010 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 500mW（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | UFM |
| 封装/外壳: | 3-SMD，扁平引线 |
| 标准包装: | 3,000 |
SSM3K123TU,LF
型号：SSM3K123TU,LF
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.873959 |
| 10+： | ￥3.953875 |
| 100+： | ￥2.689008 |
| 500+： | ￥2.016725 |
| 1000+： | ￥1.512544 |
| 3000+： | ￥1.386505 |
| 6000+： | ￥1.302479 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.87