- 制造商编号：
- BTS282ZE3180AATMA2
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
- 规格说明书：
- BTS282ZE3180AATMA2说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥69.230118 | ￥69.23 |
| 10 | ￥62.208881 | ￥622.09 |
| 100 | ￥50.970177 | ￥5097.02 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | TEMPFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 49 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 6.5 毫欧 @ 36A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 240µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 232 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4800 pF @ 25 V |
| FET 功能: | 温度检测二极管 |
| 功率耗散（最大值）: | 300W（Tc） |
| 工作温度: | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO263-7-1 |
| 封装/外壳: | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
| 标准包装: | 1,000 |
BTS282ZE3180AATMA2
型号：BTS282ZE3180AATMA2
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
库存：0
单价：
| 1+： | ￥69.230118 |
| 10+： | ￥62.208881 |
| 100+： | ￥50.970177 |
| 500+： | ￥43.564295 |
| 1000+： | ￥43.564295 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥69.23