- 制造商编号：
- TPAR3J S1G
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
- 规格说明书：
- TPAR3J S1G说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.662936 | ￥8.66 |
| 10 | ￥7.73851 | ￥77.39 |
| 100 | ￥6.034191 | ￥603.42 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| 二极管类型: | 雪崩 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 3A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.55 V @ 3 A |
| 速度: | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 120 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 10 µA @ 600 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 58pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-277，3-PowerDFN |
| 供应商器件封装: | TO-277A（SMPC） |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 175°C |
| 标准包装: | 1,500 |
TPAR3J S1G
型号：TPAR3J S1G
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
库存：0
单价：
| 1+： | ￥8.662936 |
| 10+： | ￥7.73851 |
| 100+： | ￥6.034191 |
| 500+： | ￥4.984927 |
| 1500+： | ￥4.328949 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.66