RF081LAM2STR

制造商编号:
RF081LAM2STR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM
规格说明书:
RF081LAM2STR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.103078 4.10
10 3.026331 30.26
100 1.712973 171.30

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1.1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 980 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-128
供应商器件封装: PMDTM
工作温度 - 结: 150°C(最大)
标准包装: 3,000

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RF081LAM2STR

型号:RF081LAM2STR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM

库存:0

单价:

1+: ¥4.103078
10+: ¥3.026331
100+: ¥1.712973
500+: ¥1.134364
1000+: ¥0.869678
3000+: ¥0.756247
6000+: ¥0.680626
15000+: ¥0.604993
30000+: ¥0.567182
75000+: ¥0.51562

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥4.10