库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | EPC |
| 系列: | eGaN® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 100 毫欧 @ 3A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 1.8 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | +6V，-5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 145 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 标准包装: | 1,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| EPC2012C | EPC | ¥21.20000 | 直接 |
EPC2012
型号：EPC2012
品牌：EPC
描述：GANFET N-CH 200V 3A DIE
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
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