SI7501DN-T1-GE3

制造商编号:
SI7501DN-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
规格说明书:
SI7501DN-T1-GE3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道,共漏
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A,4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 @ 7.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1.6W
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 双
标准包装: 3,000

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SI7501DN-T1-GE3

型号:SI7501DN-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

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