库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.050234 | ￥35.05 |
| 10 | ￥31.501693 | ￥315.02 |
| 100 | ￥25.807864 | ￥2580.79 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | EPC |
| 系列: | eGaN® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 50 毫欧 @ 7A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 2.5 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | +6V，-4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 270 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 标准包装: | 1,000 |
EPC2019
型号：EPC2019
品牌：EPC
描述：GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
库存：0
单价：
| 1+： | ￥35.050234 |
| 10+： | ￥31.501693 |
| 100+： | ￥25.807864 |
| 500+： | ￥21.969795 |
| 1000+： | ￥18.528742 |
| 2000+： | ￥18.047476 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.05