TK62N60X,S1F

制造商编号:
TK62N60X,S1F
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
规格说明书:
TK62N60X,S1F说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 102.365582 102.37
10 92.477164 924.77
100 76.559832 7655.98

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: DTMOSIV-H
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 61.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 @ 21A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 3.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 135 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6500 pF @ 300 V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): 400W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FCH76N60NF onsemi ¥150.68000 类似
FCH041N60F-F085 Rochester Electronics, LLC ¥115.28000 类似

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TK62N60X,S1F

型号:TK62N60X,S1F

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247

库存:0

单价:

1+: ¥102.365582
10+: ¥92.477164
100+: ¥76.559832
500+: ¥66.66736
1000+: ¥58.651587

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥102.37