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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | PowerTrench® |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 320µA，3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 30nC @ 10V，104nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1370pF @ 13V，5105pF @ 13V |
| 功率 - 最大值: | 2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装: | 8-PQFN（5x6） |
| 标准包装: | 3,000 |
FDMS001N025DSD
型号：FDMS001N025DSD
品牌：ON安森美
描述：MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN
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