货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥14.224004 | ¥14.22 |
10 | ¥12.746896 | ¥127.47 |
100 | ¥9.938153 | ¥993.82 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ON(安森美) |
系列: | QFET® |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.6A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 175 毫欧 @ 4.3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 17 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 550 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 30W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220F-3 |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
标准包装: | 1,000 |
FQPF11P06
型号:FQPF11P06
品牌:ON安森美
描述:MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
库存:0
单价:
1+: | ¥14.224004 |
10+: | ¥12.746896 |
100+: | ¥9.938153 |
500+: | ¥8.210035 |
1000+: | ¥6.874471 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥14.22