VDZT2R5.6B

制造商编号:
VDZT2R5.6B
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
DIODE ZENER 5.6V 100MW VMD2
规格说明书:
VDZT2R5.6B说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 100 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 2.5 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-723
供应商器件封装: VMD2
标准包装: 8,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BZX884-B5V6,315 Nexperia USA Inc. ¥2.76000 类似

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型号:VDZT2R5.6B

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

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