PSMN4R8-100PSEQ

制造商编号:
PSMN4R8-100PSEQ
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
规格说明书:
PSMN4R8-100PSEQ说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 37.729366 37.73
10 33.876639 338.77
100 27.758099 2775.81

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 278 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 14400 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 405W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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PSMN4R8-100PSEQ

型号:PSMN4R8-100PSEQ

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

库存:0

单价:

1+: ¥37.729366
10+: ¥33.876639
100+: ¥27.758099
500+: ¥23.62964
1000+: ¥21.352085

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