货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥37.729366 | ¥37.73 |
10 | ¥33.876639 | ¥338.77 |
100 | ¥27.758099 | ¥2775.81 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Nexperia(安世) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A(Tj) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 5 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 278 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 14400 pF @ 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 405W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 50 |
PSMN4R8-100PSEQ
型号:PSMN4R8-100PSEQ
品牌:Nexperia安世
描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
库存:0
单价:
1+: | ¥37.729366 |
10+: | ¥33.876639 |
100+: | ¥27.758099 |
500+: | ¥23.62964 |
1000+: | ¥21.352085 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥37.73