HER601G B0G

制造商编号:
HER601G B0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 50V 6A R-6
规格说明书:
HER601G B0G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 6 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 50 V
不同 Vr、F 时电容: 80pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: R6,轴向
供应商器件封装: R-6
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 400

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
6A05-TP Micro Commercial Co ¥3.69000 类似

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型号:HER601G B0G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

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