货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥18.712523 | ¥18.71 |
2500 | ¥10.588192 | ¥26470.48 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Renesas(瑞萨) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 75A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.2 毫欧 @ 37.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 141 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4800 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1W(Ta),138W(Tc) |
工作温度: | 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-HSON |
封装/外壳: | 8-SMD,扁平引线裸焊盘 |
标准包装: | 2,500 |
NP75P03YDG-E1-AY
型号:NP75P03YDG-E1-AY
品牌:Renesas瑞萨
描述:MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
库存:0
单价:
1+: | ¥18.712523 |
2500+: | ¥10.588192 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.71