货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥10.220395 | ¥10.22 |
10 | ¥9.110077 | ¥91.10 |
100 | ¥7.102553 | ¥710.26 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 100V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 230 毫欧 @ 1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 9.2nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 497pF @ 50V |
功率 - 最大值: | 1.8W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
标准包装: | 2,500 |
ZXMC10A816N8TC
型号:ZXMC10A816N8TC
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
库存:0
单价:
1+: | ¥10.220395 |
10+: | ¥9.110077 |
100+: | ¥7.102553 |
500+: | ¥5.867427 |
1000+: | ¥4.632189 |
2500+: | ¥4.323376 |
5000+: | ¥4.211076 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.22