库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥11.795647 | ￥11795.65 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | HB |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 60 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 120 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2V @ 15V，30A |
| 功率 - 最大值: | 260 W |
| 开关能量: | 151µJ（开），293µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 149 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 37ns/146ns |
| 测试条件: | 400V，30A，10 欧姆，15V |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装: | D²PAK（TO-263） |
| 标准包装: | 1,000 |
STGB30H65FB
型号：STGB30H65FB
品牌：ST意法半导体
描述：IGBT
库存：0
单价：
| 1000+： | ￥11.795647 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00