货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥71.959362 | ¥71.96 |
10 | ¥65.025593 | ¥650.26 |
100 | ¥53.838437 | ¥5383.84 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | EF |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 36A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 71毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 75 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2647 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 202W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerPAK® 8 x 8 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
标准包装: | 3,000 |
SIHH070N60EF-T1GE3
型号:SIHH070N60EF-T1GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8
库存:0
单价:
1+: | ¥71.959362 |
10+: | ¥65.025593 |
100+: | ¥53.838437 |
500+: | ¥46.881576 |
1000+: | ¥45.3693 |
3000+: | ¥45.3693 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥71.96