货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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50 | ¥36.830721 | ¥1841.54 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | Trench |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 250 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 76A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 44 毫欧 @ 38A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 92 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4920 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 460W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220 隔离的标片 |
封装/外壳: | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
标准包装: | 50 |
IXTP76N25TM
型号:IXTP76N25TM
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 250V 76A TO220
库存:0
单价:
50+: | ¥36.830721 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00