2N6661JAN02

制造商编号:
2N6661JAN02
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
规格说明书:
2N6661JAN02说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 90 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 860mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 725mW(Ta),6.25W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-39
封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐
标准包装: 20

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型号 品牌 参考价格 说明
2N6661 Microchip Technology ¥122.42000 类似
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品牌:Vishay威世

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