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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 12V，20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.5A，6.9A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 17 毫欧 @ 11.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 30.4nC @ 8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1525pF @ 6V |
| 功率 - 最大值: | 2.3W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | PowerDI5060-8 |
| 标准包装: | 2,500 |
DMC1018UPD-13
型号：DMC1018UPD-13
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060
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