1N5818HB0G

制造商编号:
1N5818HB0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL
规格说明书:
1N5818HB0G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管类型: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 550 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 30 V
不同 Vr、F 时电容: 55pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5818-TP Micro Commercial Co ¥2.53000 类似
1N5818-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.38000 类似
SR203-TP Micro Commercial Co ¥3.07000 类似
SB130 onsemi ¥3.84000 类似
1N5818-T Diodes Incorporated ¥2.69000 类似

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1N5818HB0G

型号:1N5818HB0G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL

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