APT68GA60B2D40

制造商编号:
APT68GA60B2D40
制造商:
Microchip微芯
描述:
IGBT 600V 121A 520W TO-247
规格说明书:
APT68GA60B2D40说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
50 107.996 5399.80

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: POWER MOS 8™
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: PT
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 121 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 202 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V @ 15V,40A
功率 - 最大值: 520 W
开关能量: 715µJ(开),607µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 198 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 21ns/133ns
测试条件: 400V,40A,4.7 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3 变式
标准包装: 1

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RJH60D7BDPQ-E0#T2 Renesas Electronics America Inc ¥47.00000 类似

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APT68GA60B2D40

型号:APT68GA60B2D40

品牌:Microchip微芯

描述:IGBT 600V 121A 520W TO-247

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