库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.237202 | ￥3.24 |
| 3000 | ￥0.571788 | ￥1715.36 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 230mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.1V @ 250µA |
| Vgs（最大值）: | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 14.1 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 350mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | X2-DFN1006-3 |
| 封装/外壳: | 3-XFDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
DMN26D0UFB4-7
型号：DMN26D0UFB4-7
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.237202 |
| 3000+： | ￥0.571788 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.24