货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥19.86776 | ¥19.87 |
10 | ¥17.858187 | ¥178.58 |
100 | ¥14.357563 | ¥1435.76 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 800mA(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 800 毫欧 @ 800mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 7 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 200 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | 4-HVMDIP |
封装/外壳: | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
标准包装: | 2,500 |
IRFD113PBF
型号:IRFD113PBF
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
库存:0
单价:
1+: | ¥19.86776 |
10+: | ¥17.858187 |
100+: | ¥14.357563 |
500+: | ¥11.796115 |
1000+: | ¥10.110957 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.87