SQ3585EV-T1_GE3

制造商编号:
SQ3585EV-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
规格说明书:
SQ3585EV-T1_GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 35.050234 35.05
3000 20.589582 61768.75

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.57A (Tc),2.5A (Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 77 毫欧 @ 1A,4.5V,166 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.5nC @ 4.5V,3.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1.67W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: 6-TSOP
标准包装: 3,000

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SQ3585EV-T1_GE3

型号:SQ3585EV-T1_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP

库存:0

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1+: ¥35.050234
3000+: ¥20.589582

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