FDC645N

制造商编号:
FDC645N
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
规格说明书:
FDC645N说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.589792 6.59
10 5.786583 57.87
100 4.435303 443.53

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 @ 6.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1460 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SuperSOT™-6
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RSQ020N03TR Rohm Semiconductor ¥5.45000 类似
RSQ045N03TR Rohm Semiconductor ¥5.61000 类似
RQ6E055BNTCR Rohm Semiconductor ¥5.30000 类似
RTQ035N03TR Rohm Semiconductor ¥5.30000 类似
RTQ045N03TR Rohm Semiconductor ¥5.15000 类似

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FDC645N

型号:FDC645N

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6

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1+: ¥6.589792
10+: ¥5.786583
100+: ¥4.435303
500+: ¥3.506043
1000+: ¥2.80479
3000+: ¥2.788875

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