货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥12.035696 | ¥12.04 |
10 | ¥10.779905 | ¥107.80 |
100 | ¥8.404596 | ¥840.46 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 31A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 65 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 63 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1200 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 110W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | IPAK(TO-251AA) |
封装/外壳: | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装: | 75 |
IRFU5305PBF
型号:IRFU5305PBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥12.035696 |
10+: | ¥10.779905 |
100+: | ¥8.404596 |
500+: | ¥6.942756 |
1000+: | ¥6.090062 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.04