货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥123.082083 | ¥123.08 |
10 | ¥113.133385 | ¥1131.33 |
25 | ¥108.444457 | ¥2711.11 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | Depletion |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 16A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 0V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 64 毫欧 @ 8A,0V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 225 nC @ 5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 5700 pF @ 25 V |
FET 功能: | 耗尽模式 |
功率耗散(最大值): | 830W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-268AA |
封装/外壳: | TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA |
标准包装: | 30 |
IXTT16N10D2
型号:IXTT16N10D2
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 100V 16A TO268
库存:0
单价:
1+: | ¥123.082083 |
10+: | ¥113.133385 |
25+: | ¥108.444457 |
100+: | ¥95.548651 |
250+: | ¥90.859152 |
500+: | ¥84.997286 |
1000+: | ¥82.951191 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥123.08